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SiC肖特基勢壘二極管

SiC器件具有出色的特性,能夠實現高耐壓、低功耗、高頻動作和高溫動作。使用SiC的功率半導體能夠實現大幅節能和安裝產品的小型化、輕量化。

產品信息

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SiC-SBD系列

接線 VRRM (V) Io (A)
TO-220

TO-220F

TO-247

T-Pack(s)
單管 650 6 FDCP06S65 FDCA06S65
8 FDCP08S65 FDCA08S65
10 FDCC10S65
25 FDCC25C65
1200 18
雙管 650 20 FDCC20C65
50      
1200 36      

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